Synchronní DRAM využívá hodinových impulsů k synchronizování vstupu a výstupu na paměťový čip. Časování pamětí je synchronizováno s časováním procesoru. Synchronní paměť DRAM tak spoří čas při vykonávání příkazů a při přenosu dat, čímž zvýší celkový výkon počítače. V objektivních testech výkonnosti je SDRAM přibližně o 50% rychlejší než EDO.

   Přímý a samozřejmě rychlejší následník předcházejícího typu, někdy také označovaný jako DDR (Double Data Rate SDRAM). Je schopný číst data na náběhové i na sestupné hraně impulsu a zdvojuje tak datovou propustnost paměťového čipu.

   SLDRAM je pokusem o hybridní DRAM, která má nejblíže k tomu, aby mohla konkurovat pamětím Rambus.