 |
 |
3/3
Tranzistor je polovodičový zesilovací prvek, který obsahuje dva PN přechody. Může být zapojen buď v propustném nebo závěrném směru a v zapojení se společnou Bází, Emitorem nebo Kolektorem. Tranzistor je tvořen krystalem polovodiče se třemi oblastmi s vodivostí typu P, typu N a znovu typu P. Podle toho jak jsou tyto vrstvy uspořádány existují tranzistory PNP a NPN. Tranzistor je též základním stavebním prvekm integrovaných obvodů (IO)
|
|
Malými změnami napětí na bázi mohu výrazně ovlivnit proud mezi emitorem a kolektorem, z čehož vyplívá možnost zesilování. K tomu stačí napětí jen několik voltů. Bipolární tranzistory umožňují vyšší hodnoty frekvence na úkor hustoty integrace. Nesmí se zatěžovat velkým napětím.
|
|
Se vzrůstajícím napětím na řídicí elektrodě klesá procházející proud, z čehož vyplývá možnost zeslabování proudu a nižší spotřeba proudu, což je konstrukčně méně náročné a umožňuje tak větší hustotu integrace. Hůře se ovšem ovlivňují parazitní vlastnosti.
Základní třídění unipolárních tranzistorů:
FET (Field Effect Transistor) - tranzistor řízený polem
 |
s přechodovým hradlem (NIG FET) - s neizolovaným přechodem |
|
 |
s přechodem PN (J FET) |
|
|
s přechodem kov - polovodič (MES FET) |
|
|
s izolovaným hradlem (IG FET) - mají izolovanou elektrodou od kanálu |
|
|
kov - izolant - polovodič (MIS, MOS) - slouží pro výrobu pamětí pro BIOS, CMOS, vlastní spotřeba je zanedbatelná (na zálohu postačí malá baterie). Jsou pomalé, a proto je nelze použít jako operační paměti. Jsou citlivé na statickou elektřinu (přeskakující jiskry mají až několik kV) jelikož dochází k průrazu izolační vrstvy nebo snížení životnosti. |
|
|
||
